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硅-硅键合片
当外延层厚度大于50um，硅-硅键合片具有更好的成本优势。
对于高压器件，例如MOSFET和IGBT来说，是可行的替代材料。
良好的TEM和SRP测试结果，确保硅-硅键合片的质量。
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